GaN材料的研究與應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點，是研製微電子器件、光電子器件的新型半導體材料。GaN材料的製備主要采用氣相外延生長的方法，青青草激情视频盤是外延生長GaN晶體的必備耗材。由於青青草激情视频材料在高溫、腐蝕性氣體環境下會發生腐蝕掉粉現象，從而將粉體雜質引入到單晶材料中。因此，塗覆高純度、均勻致密的保護塗層是解決該問題的唯一方法。經化學氣相沉積碳化矽塗層後的青青草激情视频盤具有耐高溫、抗氧化、純度高、耐酸堿鹽及有機試劑等特性，滿足高純度單晶生長環境的需要，國外已將其作為一種新耗材在MOCVD外延生長設備上大規模使用，但國內還沒有這一相關的產品。

      國防科技大學從2000年開始，一直致力於化學氣相沉積碳化矽塗層製備技術應用研究，突破了碳化矽塗層製備的各項關鍵技術，具備了大尺寸（直徑700mm）碳化矽塗層製備能力，獲得國家發明專利授權1項。本實驗室製備的碳化矽塗層的特點是：（1）高溫抗氧化：溫度高達1600℃時抗氧化性能仍然非常好；（2）純度高、均勻、致密、顆粒細、無缺陷；（3）耐衝刷；（4）抗腐蝕性：耐酸、堿、鹽及有機試劑。該技術在青青草激情视频盤方麵具有很好的推廣應用前景。

     碳化矽塗層青青草激情视频盤是各半導體廠家必不可少的耗材，目前，該產品全部依賴進口，價格昂貴，且受製於人。因此，本實驗室開發的碳化矽塗層青青草激情视频盤技術一旦實現產業化，將對我國的半導體青青草黄色在线视频具有重要的戰略意義和市場經濟價值。